PPT--高Na EUV光刻：扩展摩尔定律

来源：ASML

   目前配备0.33 NA镜头的EUV系统已经准备开始批量生产，同时围绕NA为0.55的EUV曝光工具展开的研究活动也加快了进度。这种光刻机的目的是未来十年内扩展摩尔定律，达到8nm的最终分辨率。目前已经研究了一种能够提供所需NA的新颖的变形透镜设计；该镜头将配备新的，更快和更精确的传感器，以满足摩尔定律的要求，以及未来工艺节点所需的紧密聚焦和重叠控制。此外，将需要更进一步的光刻胶和掩模技术来对小于10nm分辨率的特征图形进行成像。本PPT概述了目标规范，关键技术创新和成像仿真，展示了与0.33NA相比的优势，并展示了下一代EUV系统的功能。

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