摘要：
IR2101是半桥驱动，当然IR也有全桥的驱动，但因为手上正好有IR2101，所以就用两片IR2101+4个NMOS做了一个全桥驱动。
介绍：
IR2101内部框图如下：
Datasheet上给出的参考电路如下：
原理分析：
下桥导通不用分析，关键是上桥。
- NMOS需要在G-S极加10V~20V电压才能完全导通。C1和D1的作用是与负载（P1）组成一个BOOST升压电路，在VB脚上产生一个VCC+12V的电压，芯片会用VB脚的电压来驱动NMOS上管。C1正常升压的前提是IR2101先开通下管（Q4），给C1充电，然后再开上管（Q2）；如果上桥需要保持一个比较长的时间则需要重复充电的动作来保证VB脚的电位不会低于VCC+10V（C1要求是低漏电耐纹波长寿型的）。
- 如果半桥恒导通，即Q2和Q3恒导通，这样上管Q2的S极电位就变成了VCC，而G级必须比S级高10V～20V才能保持Q2的DS导通，否则管子会进入线性区开始发热。
- 如何才能半桥恒导通：使用主动升压电路来代替D1 C1，主动升压到VCC+12V，输入IR2101的VB脚，C2保留D1去掉。
- D3~D6的作用：关断时为快速泄放MOS管GS寄生电容上的电荷一般采取在限流电阻上并一个二极管的做法，这样可以加快关断速度。
注意事项：
- 上桥应该和同半桥的下桥互补导通（Q2Q4），而且两个IR2101都应该这样，否则长期保持导通的上桥升压电容充不上电。
- 自举电容大PWM周期可以大，电容小PWM周期小。
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